Tunelska dioda ili Esakijeva dioda je posebna vrsta poluvodičke diode koja se sastoji od vrlo tankog zapornog sloja (pn-spoja) pri čemu su i p-sloj i n-sloj ekstremno dotirani. Zbog takva spoja elektronima se omogućuje tuneliranje iz vodljivog pojasa n-strane kroz barijeru na p-stranu tzv. tunelskim efektom. Na jednom dijelu porastom napona dolazi do pada struje. Upotrebljava se za vrlo brze elektronske komponente, pa i kao memorija.[4]

Tunelska dioda
1N3716 tunelska dioda (sa 0.1" jumperom radi razmere)
Tip komponentepasivna
Princip radakvantno mehanički efekat poznat kao tuneliranje
IzumiteljLeo Esaki
Yuriko Kurose[1]
Takashi Suzuki[2][3]
Prva proizvodnja1957.
Pinovianoda i katoda
Elektronski simbol

Reference uredi

  1. „Diode type semiconductor device”. United States patent. 3,033,714. 
  2. Esaki, L.; Kurose, Y.; Suzuki, T. (1957). „Ge P-N Junction のInternal Field Emission”. 日本物理学会年会講演予稿集 12 (5): 85. 
  3. „Chapter 9: The Model 2T7 Transistor”. Sony History. Sony Global. Pristupljeno 4 April 2018. 
  4. tunelska dioda

Spoljašnje veze uredi