Poluprovodnik – razlika između verzija
Uklonjeni sadržaj Dodani sadržaj
vector version available (GlobalReplace v0.3) |
|||
Red 57:
=== Dopiranje n-tipa ===
Svrha dopiranja n-tipa je da se stvori mnoštvo pokretnih elektrona ili elektrona ''nosioca'' u materijalu. Kao pomoć u razumijevanju kako se postiže dopiranje n-tipa razmotrit ćemo na primjeru [[silicij]]a (Si). Atom silicija ima četiri valenta elektrona, od kojih je svaki kovalentno vezan za jedan od četiri elektrona susjednog atoma silicija. Ako se u kristalnu rešetku umjesto atoma silicija ugradi atom sa pet valentnih elektrona (grupa V u periodnom sustavu elemenata, npr. [[fosfor]] (P), [[arsen]] (As), or [[antimon]] (Sb)), tada će atom imati četiri kovalentne veze i jedan slobodni elektron. Taj jedan slobodni elektron je dosta slabo vezan za atom i lako se može pobuditi da prijeđe u vodljivi pojas. Na uobičajenim temperaturama, svi su takvi elektroni prividno pobuđeni u vodljivi pojas. Budući da pobuđivanje takvih slobodnih elektrona ne rezultira formiranjem šupljina, broj elektrona u takvom materijalu daleko premašuje broj šupljina. U ovom slučaju elektroni su ''većinski nosioci'', a šupljine su ''manjinski nosioci''. Zbog toga što
=== Dopiranje p-tipa ===
|