Razlike između izmjena na stranici "Poluprovodnik"

Obrisana 4 bajta ,  prije 3 godine
(vector version available (GlobalReplace v0.3))
=== Dopiranje n-tipa ===
 
Svrha dopiranja n-tipa je da se stvori mnoštvo pokretnih elektrona ili elektrona ''nosioca'' u materijalu. Kao pomoć u razumijevanju kako se postiže dopiranje n-tipa razmotrit ćemo na primjeru [[silicij]]a (Si). Atom silicija ima četiri valenta elektrona, od kojih je svaki kovalentno vezan za jedan od četiri elektrona susjednog atoma silicija. Ako se u kristalnu rešetku umjesto atoma silicija ugradi atom sa pet valentnih elektrona (grupa V u periodnom sustavu elemenata, npr. [[fosfor]] (P), [[arsen]] (As), or [[antimon]] (Sb)), tada će atom imati četiri kovalentne veze i jedan slobodni elektron. Taj jedan slobodni elektron je dosta slabo vezan za atom i lako se može pobuditi da prijeđe u vodljivi pojas. Na uobičajenim temperaturama, svi su takvi elektroni prividno pobuđeni u vodljivi pojas. Budući da pobuđivanje takvih slobodnih elektrona ne rezultira formiranjem šupljina, broj elektrona u takvom materijalu daleko premašuje broj šupljina. U ovom slučaju elektroni su ''većinski nosioci'', a šupljine su ''manjinski nosioci''. Zbog toga što peterovalentnipetovalentni atomi imaju dodatni elektronielektron za ''doniranje'', oni se nazivaju atomi donori (donorski atomi). Primijetite da nijedan pokretni elektron unutar poluvodiča nikad nije daleko od nepokretnog pozitivno dopiranog ionajona, i n-dopirani materijal muglavnomuglavnom ima neto vrijednost električnog naboja jednaku nuli.
 
=== Dopiranje p-tipa ===
Anonimni korisnik